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BUR52中文资料

  • 大小：62.93KB
  • 厂家：STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
  • 描述：HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR
  • 制造商：STMicroelectronics
  • 晶体管极性：NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：250 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：10 V
  • 最大直流电集电极电流：60 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：20
  • 配置：Single
  • 最大工作频率：16 MHz
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-3
  • 封装：Tube
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 功率耗散：350000 mW
  • 工厂包装数量：20

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更新时间:2023-01-30 02:45:20
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